{"id":5864,"date":"2023-05-10T15:43:27","date_gmt":"2023-05-10T07:43:27","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ray-tron.com\/?p=5864"},"modified":"2023-07-21T09:51:26","modified_gmt":"2023-07-21T01:51:26","slug":"ele5777","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ray-tron.com\/es\/ele5777\/","title":{"rendered":"\u00bfCu\u00e1les son las ventajas y desventajas de los principales materiales de los m\u00f3dulos fotovoltaicos?"},"content":{"rendered":"

1. Oblea de silicio de 182 mm frente a oblea de silicio de 210 mm<\/strong><\/p>\n

Ventajas de la oblea de silicio 210:<\/strong><\/p>\n

\u2460 Aumentar el tama\u00f1o de las obleas de silicio puede reducir los costos y mejorar la eficiencia en muchos aspectos de los procesos posteriores. La reducci\u00f3n de costos de las obleas de silicio de gran tama\u00f1o proviene principalmente de los efectos de reducci\u00f3n de costos del "rendimiento" y la "mayor circunferencia de las \u00e1reas inconsistentes".<\/p>\n

Flujo: A medida que las obleas de silicio se hacen m\u00e1s grandes, la capacidad de producci\u00f3n aumenta y no es necesario aumentar los equipos, la mano de obra, etc. correspondientes, lo que reduce los costos. En el segmento de bater\u00edas, la producci\u00f3n de la l\u00ednea de producci\u00f3n de bater\u00edas se calcula en unidades de obleas de silicio. Cuando el \u00e1rea de la oblea se hace m\u00e1s grande, la capacidad de producci\u00f3n de la celda de la bater\u00eda tambi\u00e9n aumenta en consecuencia, lo que conduce a la diluci\u00f3n en mano de obra, depreciaci\u00f3n, tres gastos, etc. En comparaci\u00f3n con las bater\u00edas M2, las bater\u00edas M12 pueden ahorrar 0,08 yuanes\/W y reducir 25,61 TP3T. Lo mismo ocurre en el segmento de componentes, donde el aumento de la capacidad de producci\u00f3n ha provocado una diluci\u00f3n de los costes laborales y una depreciaci\u00f3n.<\/p>\n

Aumento de superficie: principalmente en los extremos de los componentes y en la central terminal. Es decir, cuando el tama\u00f1o de las obleas y m\u00f3dulos se hace mayor, el uso de marcos, tiras de soldadura, etc. tambi\u00e9n aumenta en consecuencia. Sin embargo, el aumento es menor que el aumento de tama\u00f1o y \u00e1rea, por lo que se ahorra coste por vatio. Este efecto se refleja principalmente en el deflector y la tira de soldadura en el lado del m\u00f3dulo. Este efecto se refleja principalmente en el marco y la tira de soldadura en el extremo del m\u00f3dulo, as\u00ed como en el soporte de la central el\u00e9ctrica terminal.<\/p>\n

\u2461Ya sea tecnolog\u00eda de bater\u00eda de tipo N o apilamiento de perovskita, el futuro se basar\u00e1 en 210.<\/p>\n

Desventajas de 210 obleas de silicio (=desventajas de 182 obleas de silicio):<\/strong><\/p>\n

La capacidad de producci\u00f3n existente no se puede ampliar de 156 a 210 mediante una reforma tecnol\u00f3gica, y las bater\u00edas Perc se han visto atrapadas en una feroz guerra de precios. En un entorno de mercado como este, los fabricantes de bater\u00edas no tienen suficiente motivaci\u00f3n para agregar nueva capacidad de producci\u00f3n de bater\u00edas. Por lo tanto, a corto plazo, no es posible lograr temporalmente una aplicaci\u00f3n industrial a gran escala de 210 obleas. Es conveniente que las nuevas f\u00e1bricas ampl\u00eden la producci\u00f3n y adquieran nuevos equipos para utilizar 210 obleas.<\/p>\n

Conclusi\u00f3n: Uno trabaja duro en el presente, el otro se centra en el futuro.<\/p>\n

Se puede decir que uno trabaja en el presente y el otro mira hacia el futuro. No son ni buenos ni malos, pero ser\u00e1n absorbidos por los tiempos a medida que se ajusten a la tendencia hist\u00f3rica. En el futuro, con el uso generalizado de obleas de silicio de gran tama\u00f1o, se espera queIndustria fotovoltaica<\/a>Vendr\u00e1 una nueva ronda de innovaci\u00f3n.<\/p>\n

\"\"

2. Obleas de silicio semiconductor frente a obleas de silicio fotovoltaicas<\/strong><\/p>\n

Ambos est\u00e1n hechos de silicio monocristalino.<\/p>\n

oblea de silicio fotovoltaica<\/strong><\/p>\n

Los requisitos de par\u00e1metros como pureza y deformaci\u00f3n son bajos y el proceso de fabricaci\u00f3n es relativamente simple.<\/p>\n

Tomemos como ejemplo las c\u00e9lulas de silicio monocristalino:<\/p>\n

El primer paso es cortar y cuadrar. Primero, la varilla de silicio monocristalino se corta en varillas cuadradas seg\u00fan los requisitos de tama\u00f1o y luego se redondean las cuatro esquinas de la varilla cuadrada.<\/p>\n

El segundo paso es el decapado, que consiste principalmente en eliminar las impurezas de la superficie de la varilla cuadrada de monocristal.<\/p>\n

El tercer paso es cortar, primero pegamos los palitos cuadrados limpios sobre la tabla de trabajo. Luego, la placa de trabajo se coloca en la cortadora y se corta seg\u00fan los par\u00e1metros de proceso establecidos.<\/p>\n

Por \u00faltimo, las obleas de silicio monocristalino se limpian y se controlan para comprobar la suavidad de la superficie, la resistividad y otros par\u00e1metros.<\/p>\n

oblea de silicio semiconductora<\/strong><\/p>\n

Los requisitos para las obleas de silicio semiconductoras son m\u00e1s elevados que los de las obleas de silicio fotovoltaicas. En primer lugar, todas las obleas de silicio utilizadas en la industria de los semiconductores son de silicio monocristalino. El prop\u00f3sito es garantizar que las caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas de cada trozo de silicio sean id\u00e9nticas. En t\u00e9rminos de forma y tama\u00f1o, las obleas de silicio monocristalino utilizadas para la energ\u00eda fotovoltaica son cuadradas. Est\u00e1n disponibles principalmente en productos con longitudes laterales de 125 mm, 150 mm y 156 mm. Las obleas de silicio monocristalino utilizadas en semiconductores son redondas, con di\u00e1metros de 150 mm (obleas de 6 pulgadas), 200 mm (obleas de 8 pulgadas) y 300 mm (obleas de 12 pulgadas).<\/p>\n

En t\u00e9rminos de pureza, la pureza de las obleas de silicio monocristalino utilizadas para energ\u00eda fotovoltaica requiere un contenido de silicio entre 4N y 6N (99,99%-99,9999%). Sin embargo, las obleas de silicio monocristalino utilizadas para semiconductores son de aproximadamente 9N (99,9999999%) a 11N (99,9999999%), y la pureza m\u00ednima requerida es 1.000 veces la de las obleas de silicio monocristalino fotovoltaicas. Por lo tanto, la pureza de las obleas semiconductoras es mucho mayor que la de las obleas fotovoltaicas.<\/p>\n

En apariencia, la planitud, suavidad y limpieza de la superficie de las obleas de silicio semiconductor son superiores a las de las obleas de silicio fotovoltaicas. La pureza es la mayor diferencia entre las obleas de silicio monocristalino para energ\u00eda fotovoltaica y las obleas de silicio monocristalino para semiconductores.<\/p>\n

3. Bater\u00eda tipo P vs. bater\u00eda tipo N<\/strong><\/p>\n

El futuro pertenece al mundo de las bater\u00edas tipo N<\/p>\n

Ventajas de las bater\u00edas tipo N sobre las bater\u00edas tipo P.<\/p>\n

(1) Alta eficiencia de conversi\u00f3n. En la actualidad, la eficiencia promedio de producci\u00f3n en masa de PERC superpuesto con tecnolog\u00eda SE es: 22%-22.4% para celdas de tipo P, 22.4%-23.1% para TOPCon y 23%-23.6% para HJT en celdas de tipo N.<\/p>\n

(2) Alta doble cara. La bifacialidad de las c\u00e9lulas PERC de tipo P es de aproximadamente 75%, mientras que la de N-TOPCon supera los 85% y la de N-HJT supera los 95%.<\/p>\n

(3) Coeficiente de temperatura bajo. El coeficiente de temperatura de las bater\u00edas de tipo N es menor que el de las bater\u00edas de tipo P, lo que las hace adecuadas para aplicaciones en escenarios de temperaturas m\u00e1s altas, como \u00c1frica, Medio Oriente y otras regiones con buenas condiciones de radiaci\u00f3n.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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