{"id":6020,"date":"2023-05-25T16:33:06","date_gmt":"2023-05-25T08:33:06","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ray-tron.com\/?p=6020"},"modified":"2023-07-21T09:45:32","modified_gmt":"2023-07-21T01:45:32","slug":"ele5816-3","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ray-tron.com\/es\/ele5816-3\/","title":{"rendered":"\u00bfCu\u00e1l es el efecto del principio de generaci\u00f3n de energ\u00eda solar?"},"content":{"rendered":"
(1) Para obtener el material deseado, el proceso de agregar ciertas impurezas a los materiales semiconductores se denomina dopaje.<\/p>\n
(2) Cuando se dopa f\u00f3sforo pentavalente en la red de silicio puro, se crea un electr\u00f3n libre adicional con una energ\u00eda de aproximadamente 0,04 eV, que genera movimiento de electrones. El \u00e1tomo de f\u00f3sforo carece de un electr\u00f3n y se convierte en un ion de f\u00f3sforo con carga positiva. Dado que los iones de f\u00f3sforo act\u00faan como agentes de descarga en el cristal, el f\u00f3sforo pentavalente se denomina impureza hu\u00e9sped, tambi\u00e9n conocida como impureza N.<\/p>\n
(3) Cuando se dopa boro con tres electrones de valencia en la red de silicio puro, falta un electr\u00f3n libre, por lo que se debe obtener un electr\u00f3n del enlace de valencia del \u00e1tomo de silicio para llenarlo. Al mismo tiempo se genera un agujero en el \u00e1tomo de silicio, lo que lo carga negativamente. Por lo tanto, el boro trivalente se denomina impureza principal, tambi\u00e9n conocida como impureza P. Utilizado paraC\u00e9lulas solares<\/a>El material semiconductor es una sustancia especial entre conductores y aislantes. Al igual que los \u00e1tomos de cualquier sustancia, los \u00e1tomos de los semiconductores est\u00e1n compuestos por un n\u00facleo con carga positiva y un electr\u00f3n con carga negativa. Al exponerse a la energ\u00eda externa, estos electrones se convierten en electrones libres de sus \u00f3rbitas y dejan un "hueco" en su posici\u00f3n original. Si se a\u00f1aden boro, galio y otros elementos al cristal de silicio, se convierte en un semiconductor de tipo hueco, normalmente representado por el s\u00edmbolo P; si se a\u00f1ade f\u00f3sforo, ars\u00e9nico y otros elementos para liberar electrones, se convierte en un semiconductor de tipo electr\u00f3nico, representado por el s\u00edmbolo N; Si se combinan estos dos semiconductores, se formar\u00e1 una uni\u00f3n PN en la intersecci\u00f3n. La uni\u00f3n PN de una c\u00e9lula solar es como una pared que bloquea el movimiento de electrones y huecos. Cuando la c\u00e9lula solar es irradiada por la luz solar, los electrones reciben la energ\u00eda de la luz y se mueven a la regi\u00f3n de tipo N, haciendo que la regi\u00f3n de tipo N tenga carga negativa, mientras que los huecos se mueven a la regi\u00f3n de tipo P, haciendo que la regi\u00f3n de tipo P tenga carga positiva. De esta manera, la uni\u00f3n PN generar\u00e1 una fuerza electromotriz en ambos extremos, que habitualmente se denomina tensi\u00f3n. Este fen\u00f3meno es el \u201cefecto fotovoltaico\u201d mencionado anteriormente.<\/p>\n