一区二区高清无码电影_麻豆激情在线视频_国产一级黄片免费_2021最新国产在线人成

(1) Для получения желаемого материала процесс добавления определенных примесей в полупроводниковые материалы называется легированием.

(2) При легировании чистой кремниевой решетки пятивалентным фосфором создается дополнительный свободный электрон с энергией около 0,04 эВ, который генерирует движение электронов. Атом фосфора теряет электрон и становится положительно заряженным ионом фосфора. Поскольку ионы фосфора действуют в кристалле как разрядники, пятивалентный фосфор называется основной примесью, также известной как примесь N.

(3) Когда бор с тремя валентными электронами вводится в решетку чистого кремния, один свободный электрон отсутствует, поэтому для ее заполнения необходимо получить один электрон из валентной связи атома кремния. В то же время на атоме кремния образуется дырка, делающая его отрицательно заряженным. Поэтому трехвалентный бор называют основной примесью, также известной как примесь P. Используется дляСолнечные батареиПолупроводниковый материал — это особое вещество, занимающее промежуточное положение между проводниками и изоляторами. Как и атомы любого вещества, атомы полупроводников состоят из положительно заряженного ядра и отрицательно заряженного электрона. Под воздействием внешней энергии эти электроны становятся свободными электронами на своих орбитах и оставляют ?дырку? в своем первоначальном положении. Если к кристаллу кремния добавить бор, галлий и другие элементы, он станет полупроводником дырочного типа, обычно обозначаемым символом P; если для высвобождения электронов добавить фосфор, мышьяк и другие элементы, то он становится полупроводником электронного типа, обозначаемым символом N; Если объединить эти два полупроводника, то на пересечении образуется PN-переход. PN-переход солнечного элемента подобен стене, которая блокирует движение электронов и дырок. Когда солнечный элемент облучается солнечным светом, электроны получают световую энергию и перемещаются в область N-типа, делая область N-типа отрицательно заряженной, в то время как дырки перемещаются в область P-типа, делая область P-типа положительно заряженной. Таким образом, PN-переход будет генерировать электродвижущую силу на обоих концах, которую обычно называют напряжением. Это явление и есть ?фотогальванический эффект?, упомянутый выше.

Может производитьФотогальванический эффектСуществует множество видов материалов, таких как: монокристаллический кремний, поликристаллический кремний, аморфный кремний, арсенид галлия, селенид индия и меди и так далее. Принципы их выработки электроэнергии в основном одинаковы. Принципы их выработки электроэнергии в основном одинаковы. Теперь давайте возьмем в качестве примера кристаллический кремний, чтобы описать процесс генерации фотоэлектрической энергии. Когда свет падает на поверхность солнечного элемента, некоторые фотоны поглощаются кремниевым материалом; энергия фотонов передается атомам кремния, заставляя электроны мигрировать и превращаться в свободные электроны, которые собираются по обе стороны PN-перехода, образуя разность потенциалов. При подключении внешней цепи под действием напряжения через внешнюю цепь будет протекать ток, генерируя определенную выходную мощность. Суть этого процесса: процесс преобразования энергии фотонов в электрическую энергию.